BSC097N06NS

Symbol Micros: TBSC097n06ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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Trans MOSFET N-CH 60V 46A 8-Pin TDSON EP BSC097N06NSATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14,6mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC097N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
45000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2225
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14,6mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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