BSC120N03LSG INFINEON

Symbol Micros: TBSC120n03lsg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
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N-MOSFET 30V 12A BSC120N03LSGATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC120N03LSGATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
Externes Lager:
175000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1503
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC120N03LSGATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1565
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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