BSC120N03MSG INFINEON

Symbol Micros: TBSC120n03msg
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Gehäuse: TDSON-8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 14mOhm; 39A; 28W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC120N03MSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 28W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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