BSC12DN20NS3G INFINEON

Symbol Micros: TBSC12dn20ns3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; +/-20V; 125 mOhm; 11,3A; 50W; -55°C~150°C; Äquivalent: BSC12DN20NS3GATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 11,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 11,3A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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