BSC190N15NS3G Infineon

Name: TBSC190n15ns3g TBSC190n15ns3g
Brand: Infineon
SKU: TBSC190n15ns3g
Price: 0.6567 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC190n15ns3g

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8793	0,5535	0,4579	0,4077	0,3827

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8793	0,5535	0,4579	0,4077	0,3827

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7071

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD