BSC340N08NS3GATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC340n08ns3

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	23A
Maximaler Leistungsverlust:	32W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	66mOhm
Max. Drainstrom:	23A
Maximaler Leistungsverlust:	32W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD