BSC900N20NS3G

Symbol Micros: TBSC900n20ns3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP BSC900N20NS3GATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 15,2A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC900N20NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5290
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 15,2A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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