BSC900N20NS3G
Symbol Micros:
TBSC900n20ns3g
Gehäuse: TDSON08
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP BSC900N20NS3GATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 90mOhm |
| Max. Drainstrom: | 15,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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