BSD235NH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSD235nh
Gehäuse: SOT363
Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 225mOhm |
| Max. Drainstrom: | 950mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2647 | 0,1461 | 0,0969 | 0,0811 | 0,0754 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
282000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0754 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
120000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0754 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 225mOhm |
| Max. Drainstrom: | 950mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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