BSH105
Symbol Micros:
TBSH105
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8V; 375 mOhm; 1,05A; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH105.215; BSH105.235;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 375mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,05A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 417mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 20V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSH105,215 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
636 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4154 | 0,2294 | 0,1805 | 0,1671 | 0,1602 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2027-12-31
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 375mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,05A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 417mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 20V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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