BSH108

Symbol Micros: TBSH108
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
1292 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2100 0,1163 0,0771 0,0644 0,0600
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
360 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
Nettopreis (EUR) 0,2100 0,1159 0,0769 0,0639 0,0600
Standard-Verpackung:
2180
Widerstand im offenen Kanal: 240mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD