BSH108
Symbol Micros:
TBSH108
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
360 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2180+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2143 | 0,1182 | 0,0784 | 0,0652 | 0,0612 |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2143 | 0,1187 | 0,0787 | 0,0657 | 0,0612 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH108,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0708 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH108,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
171000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0760 |
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,9A |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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