BSH108

Name: TBSH108 TBSH108
Brand: Nexperia
SKU: TBSH108
Price: 0.0764 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSH108

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

1500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2152	0,1192	0,0790	0,0660	0,0615

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

360 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2180+
Nettopreis (EUR)	0,2152	0,1187	0,0788	0,0655	0,0615

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD