BSH108

Name: TBSH108 TBSH108
Brand: Nexperia
SKU: TBSH108
Price: 0.0810 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSH108

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 240 mOhm; 1,9A; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH108.215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

360 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2180+
Nettopreis (EUR)	0,2126	0,1173	0,0778	0,0647	0,0607

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH108 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

1500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2126	0,1177	0,0780	0,0652	0,0607

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH108,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

12000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0777

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH108,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

39000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0759

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH108,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0776

Widerstand im offenen Kanal:	240mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	830mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD