BSH201

Symbol Micros: TBSH201
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,25Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH201,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2270 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2714 0,1434 0,1112 0,1025 0,0983
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4,25Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD