BSH202

Symbol Micros: TBSH202
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 20V; 1,35 Ohm; 520mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH202.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Max. Drainstrom: 520mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH202 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,4700 0,2848 0,2188 0,1942 0,1875
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 1,35Ohm
Max. Drainstrom: 520mA
Maximaler Leistungsverlust: 417mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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