BSH202 SOT23 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TBSH202 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 330mOhm; 2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSH202(TP);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 330mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSH202 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2204 0,1118 0,0677 0,0536 0,0490
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 330mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD