BSL215CH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL215c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm/280 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL215CH6327 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4627 0,2800 0,2150 0,1941 0,1846
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL215CH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2430 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4627 0,2800 0,2150 0,1941 0,1846
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL215CH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1846
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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