BSL307SPH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL307sp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 74 mOhm; 5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL307SPH6327XTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 74mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6997 0,4423 0,3487 0,3182 0,3042
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 74mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD