BSL307SPH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL307sp

Gehäuse: TSOP06

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 74 mOhm; 5,5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSL307SPH6327XTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	74mOhm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7014	0,4434	0,3495	0,3190	0,3050

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL307SPH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3050

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL307SPH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

333000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3050

Widerstand im offenen Kanal:	74mOhm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	2W
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD