BSL308CH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSL308c
Gehäuse: TSOP06
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 93mOhm/130mOhm; 2,3A/2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; BSL308CL6327HTSA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole