BSL308CH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSL308c

Gehäuse: TSOP06

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 93mOhm/130mOhm; 2,3A/2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; BSL308CL6327HTSA1

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL308CH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1489

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	2,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	TSOP06
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD