BSL308PEH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL308pe
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1121
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1 Gehäuse: TSOP06  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1087
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD