BSL308PEH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSL308pe
Gehäuse: TSOP06
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | TSOP06 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1121 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1087 |
Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
Max. Drainstrom: | 2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | TSOP06 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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