BSL308PEH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBSL308pe
Gehäuse: TSOP06
2P-MOSFET 30V 2A 80mΩ 500mW BSL308PEH6327XTSA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
33000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1121 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSL308PEH6327XTSA1
Gehäuse: TSOP06
Externes Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1086 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 80mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | TSOP06 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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