BSM15GD120DN2E3224BOSA1 INFINEON

Symbol Micros: TBSM15gd120dn2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Rys.BSM15GD120DN2E3224
Trans IGBT Modul N-CH; IGBT Modul Vollbrücke 1200V 25A 145W Chassis-Montagemodul VERALTET
Parameter
Maximale Verlustleistung: 145W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Max. Kollektor-Strom: 25A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Maximale Verlustleistung: 145W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Max. Kollektor-Strom: 25A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 125°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT