BSN20 NXP

Symbol Micros: TBSN20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSN20.215; BSN20.235;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28Ohm
Max. Drainstrom: 173mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSN20 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2021 0,1026 0,0622 0,0492 0,0449
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 28Ohm
Max. Drainstrom: 173mA
Maximaler Leistungsverlust: 830mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD

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