BSN20-7

Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSN20-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2215 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1918 0,0973 0,0590 0,0466 0,0426
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSN20-7 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0436
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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