BSN20-7
Symbol Micros:
TBSN20-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2215 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1915 | 0,0972 | 0,0589 | 0,0466 | 0,0426 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
255000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0614 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
159000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0437 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole