BSN20-7

Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSN20-7 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
562 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2392 0,1319 0,0877 0,0731 0,0681
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 600mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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