BSO080P03S

Symbol Micros: TBSO080p03s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 14,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO080P03S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
410 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1248 0,7879 0,6694 0,6125 0,5920
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO080P03S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3457 0,9427 0,8015 0,7332 0,7082
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
1020
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 14,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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