BSO080P03S

Symbol Micros: TBSO080p03s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 14,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO080P03S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
410 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2743 0,8941 0,7580 0,6946 0,6712
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO080P03S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3869 0,9716 0,8261 0,7557 0,7298
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist Standard-Verpackung:
1020
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 14,9A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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