BSO220N03MDG INFINEON

Symbol Micros: TBSO220n03mdg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO220N03MDGXUMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO220N03MDG RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5343 0,2979 0,2343 0,2210 0,2139
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO220N03MDGXUMA1 Gehäuse: SOIC08  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2140
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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