BSP125

Symbol Micros: TBSP125
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP125-L6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5830 0,3241 0,2542 0,2402 0,2327
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 60Ohm
Max. Drainstrom: 120mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole