BSP129H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP129
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1755 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8923 0,5933 0,4905 0,4438 0,4251
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8923 0,5933 0,4905 0,4438 0,4251
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD