BSP129H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP129
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7372 0,4681 0,3698 0,3347 0,3206
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1655 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7372 0,4681 0,3698 0,3347 0,3206
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3  
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3206
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3  
Externes Lager:
3650 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3206
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP129H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3  
Externes Lager:
19000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3206
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD