BSP135
Symbol Micros:
TBSP135
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole