BSP170P
Symbol Micros:
TBSP170p
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
11000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1925 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
37000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2045 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
24000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1963 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole