BSP170P

Symbol Micros: TBSP170p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5670 0,3558 0,2965 0,2633 0,2467
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2467
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2467
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP170PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
224000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2467
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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