BSP171P

Symbol Micros: TBSP171

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 450 mOhm; 1,9A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP171P H6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1530 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6505	0,4119	0,3253	0,2972	0,2831

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	1,9A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD