BSP295
Symbol Micros:
TBSP295
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5585 | 0,3531 | 0,2793 | 0,2539 | 0,2423 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2892 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
22750 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4780 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
91000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2483 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 500mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole