BSP296NH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP296N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP296NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1136 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6799 0,4324 0,3399 0,3099 0,2960
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD