BSP296NH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSP296N
Gehäuse: SOT223-4
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
Gehäuse: | SOT223-4 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
Gehäuse: | SOT223-4 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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