BSP297
Symbol Micros:
TBSP297
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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