BSP297
Symbol Micros:
TBSP297
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP297 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6506 | 0,4096 | 0,3394 | 0,3019 | 0,2832 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP297H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2832 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP297H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
19000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2832 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP297H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
7725 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2838 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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