BSP297

Symbol Micros: TBSP297
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 660mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP297 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6856 0,4303 0,3570 0,3191 0,2979
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP297H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
9925 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2979
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP297H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
71000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2979
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 660mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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