BSP299H

Symbol Micros: TBSP299h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP299 H6327 RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3123 0,9179 0,7794 0,7137 0,6902
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223-4
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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