BSP322P Infineon

Symbol Micros: TBSP322p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP322PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4695 0,2606 0,2052 0,1934 0,1873
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 1Ohm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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