BSP52

Symbol Micros: TBSP52
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
828 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3442 0,1896 0,1491 0,1381 0,1324
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole