BSP52
Symbol Micros:
TBSP52
Gehäuse: SOT223
darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W
Parameter
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 2000 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
785 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3623 | 0,1998 | 0,1570 | 0,1454 | 0,1395 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
24100 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1452 |
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 2000 |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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