BSP52
Symbol Micros:
TBSP52
Gehäuse: SOT223
darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W
Parameter
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 2000 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-11
Anzahl Stück: 1000
| Verlustleistung: | 1,25W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 2000 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 1A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole