BSP52

Symbol Micros: TBSP52

Gehäuse: SOT223

darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W

Parameter

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT223
Stromverstärkungsfaktor:	2000
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4439	0,2686	0,2065	0,1865	0,1773

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

13500 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2649

Verlustleistung:	1,25W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse:	SOT223
Stromverstärkungsfaktor:	2000
Max. Kollektor-Strom [A]:	1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN