BSP52

Symbol Micros: TBSP52
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
128 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3406 0,1877 0,1475 0,1367 0,1311
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
98000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1311
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
40000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1311
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-21
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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