BSP52,115

Symbol Micros: TBSP52 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: NXP
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 200MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN