BSP75

Symbol Micros: TBSP75N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET 1,1A 60V 1,6W 0,5Ω BSP75N BSP75NTA BSP75NHUMA1
Parameter
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET