BSP75NTA
Symbol Micros:
TBSP75nta
Gehäuse:
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 675mOhm; 1,3A; 1,5W; -40°C ~ 150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 675mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 675mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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