BSP76E6433HUMA1
Symbol Micros:
TBSP76
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5719 | 1,1649 | 1,0199 | 0,9474 | 0,9240 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
16840 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9240 |
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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