BSP76E6433HUMA1
Symbol Micros:
TBSP76
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5802 | 1,1711 | 1,0253 | 0,9524 | 0,9289 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
16840 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9289 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 42V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole