BSP76E6433HUMA1

Symbol Micros: TBSP76
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 42V; 12V; 200 mOhm; 1,4A; 3,8 W; -40°C~150°C; Äquivalent: BSP78E6433; BSP76E6433; BSP76E6433HUMA1; BSP76; BSP76E6327HUSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 42V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5719 1,1649 1,0199 0,9474 0,9240
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP76E6433HUMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
16840 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9240
Standard-Verpackung:
10
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 1,4A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 42V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD