BSP88H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSP88h
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 15Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4704 | 0,2611 | 0,2060 | 0,1943 | 0,1882 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
900 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1882 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1882 |
Widerstand im offenen Kanal: | 15Ohm |
Max. Drainstrom: | 350mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 240V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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