BSP88H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP88h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4695 0,2606 0,2056 0,1939 0,1878
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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