BSR316PH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSR316p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-59
P-MOSFET 0.36A 100V 0.500W 1.8Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,18Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 1,18Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD