BSR802NL INFINEON

Symbol Micros: TBSR802nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-59
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSR802N L6327 RoHS Gehäuse: SC-59 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4555 0,2523 0,1990 0,1878 0,1817
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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