BSR92PH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSR92p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 20 Ohm; 140mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR92P; BSR92PL6327; BSR92PL6327HTSA1; SP001101038; BSR92PL6327HTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 140mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 140mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD