BSS119NH6327 Infineon

Name: TBSS119n TBSS119n
Brand: Infineon
SKU: TBSS119n
Price: 0.0801 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS119n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS119NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

2540 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2813	0,1553	0,1031	0,0861	0,0801

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS119NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

5700 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0801

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS119NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

216000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0801

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Max. Drainstrom:	190mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD