BSS123

Symbol Micros: TBSS123 c

Gehäuse: SOT23

N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT-23
Hersteller:	YFW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0742	0,0286	0,0139	0,0111	0,0106

Widerstand im offenen Kanal:	6Ohm
Max. Drainstrom:	170mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT-23
Hersteller:	YFW
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD