BSS123 SOT23-3 CJ(Changjiang Electronics Tech)
Symbol Micros:
TBSS123 CJ
Gehäuse: SOT23
N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 170mA,10V 360mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-01-20
Anzahl Stück: 3000
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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