BSS123 SOT23 FUXINSEMI
Symbol Micros:
TBSS123 FUX
Gehäuse: SOT23
Trans. N Channel SOT-23 MOSFETs 100V 200mA 3Ohm@10V,2mA 350mW ROHS
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | FUXINSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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