LBSS123LT1G SOT23 LRC

Symbol Micros: TBSS123 LRC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel 100V 170mA 2V @ 1mA 6? @ 100mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LRC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LRC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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