BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)

Symbol Micros: TBSS123 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole