BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)

Symbol Micros: TBSS123 MDD
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0739 0,0283 0,0139 0,0111 0,0106
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 5,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MDD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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