BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE)

Name: TBSS123 MDD TBSS123 MDD
Brand: MDD(Microdiode Electronics)
SKU: TBSS123MDD
Price: 0.0105 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS123 MDD

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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3000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0732	0,0281	0,0138	0,0109	0,0105

Widerstand im offenen Kanal:	5,5Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD