BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.
Symbol Micros:
TBSS123_R1_00001
Gehäuse: SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW BSS123-R1; BSS123_R1_00001;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | PANJIT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 170mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | PANJIT |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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