BSS123I

Symbol Micros: TBSS123i

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Max. Drainstrom:	190mA
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123IXTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1657	0,0786	0,0443	0,0337	0,0301

Widerstand im offenen Kanal:	10Ohm
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Max. Drainstrom:	190mA
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD