BSS123I

Symbol Micros: TBSS123i
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Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123IXTSA1 Gehäuse: SOT23  
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Geplantes Datum:
2026-11-13
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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