BSS123I

Symbol Micros: TBSS123i
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 190mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; BSS123IXTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123IXTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1604 0,0761 0,0428 0,0326 0,0292
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS123IXTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
309000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0292
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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