BSS123K-TP

Symbol Micros: TBSS123K-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 780mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MCC
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD